Электронные и микроэлектронные приборы - реферат

Муниципальный комитет Русской Федерации
по высокому образованию

Столичный муниципальный открытый институт

Реферат Электрические и микроэлектронные приборы

Студента 2 курса заочного отделения ФАРЭ

1998г.


Задание.

1. Выложить процессы окисления кремния в порах воды и в сухом кислороде.

2. Какие есть типы резисторов полупроводниковых ИС? Дать их сравнительную характеристику.

3. Нарисовать принципную схему элемента КМОП-логики. Объяснить принцип деяния и область Электронные и микроэлектронные приборы - реферат внедрения. Опешите принцип деяния и устройство тетрода. В чем предназначение 2-ой сетки тетрода? Виды тетродов.
1. Процессы окисления кремния в парах воды и в сухом кислороде

Благодаря своим уникальным электрофизическим свойствам двуокись кремния находит обширное применение на разных стадиях производства СБИС. Слои SiO2 употребляется как:

1. маска для диффузии легирующих Электронные и микроэлектронные приборы - реферат примесей

2. для пассивации поверхности полупроводников

3. для изоляции отдельных частей СБИС друг от друга

4. в качестве подзатворного диэлектрика

5. в качестве 1-го из мультислойных диэлектриков в производстве КМОП частей памяти

6. в качестве изоляции в схемах с мультислойной металлизацией

7. как составная часть шаблона для рентгеновской литографии

Посреди преимуществ, обуславливающих внедрение Электронные и микроэлектронные приборы - реферат этого диэлектрика, следует выделить то, что SiO2 является "родным" материалом для кремния, просто из него выходит методом окисления, не растворяется в воде, просто воспроизводится и контролируется.

Тепловое окисление кремния

Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластинке за счет хим взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится Электронные и микроэлектронные приборы - реферат в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры T = 900 - 1200 С. Окислительной средой может быть сухой либо мокроватый кислород. Схематично

вид установки показан на рис. 1.

Ðèñ. 1.

Хим реакция, идущая на поверхности кремниевой пластинки, соответствует одному из последующих уравнений:

окисление в атмосфере сухого кислорода: Siтверд.+ O2 = SiO Электронные и микроэлектронные приборы - реферат2

окисление в парах воды: Siтверд.+2H2 O = SiO2 + 2H2 .

Окисление происходит еще резвее в атмосфере мокроватого кислорода, потому его употребляют для синтеза более толстых слоев защиты двуокиси кремния.

Способом радиоактивного маркера показано, что рост SiO2 происходит за счет диффузии кислорода к поверхности кремния. Выход SiO2 за Электронные и микроэлектронные приборы - реферат границы исходного объема, занимаемого кремнием, обоснован их различными плотностями. Физика теплового окисления может быть объяснена при помощи довольно обычный модели Дила-Гроува, поясняемой при помощи рис. 2.

Ðèñ. 2.

Ïðîöåññ îêèñëåíèÿ ïðîèñõîäèò íà ãðàíèöå Si - SiO2 , ïîýòîìó ìîëåêóëû îêèñëèòåëÿ äèôôóíäèðóþò ÷åðåç âñå ïðåäâàðèòåëüíî ñôîðìèðîâàííûå

ñëîè îêèñëà è ëèøü çàòåì âñòóïàþò â ðåàêöèþ ñ êðåìíèåì íà åãî ãðàíèöå. Ñîãëàñíî çàêîíó Ãåíðè, ðàâíîâåñíàÿ êîíöåíòðàöèÿ òâåðäîé ôàçû

ïðÿìî ïðîïîðöèîíàëüíà ïàðöèàëüíîìó äàâëåíèþ ãàçà P:

C*=HP, ãäå

C Электронные и микроэлектронные приборы - реферат*- ìàêñèìàëüíàÿ êîíöåíòðàöèÿ îêèñëèòåëÿ â ãàçå äëÿ äàííîãî çíà÷åíèÿ äàâëåíèÿ P,

H - ïîñòîÿííûé êîýôôèöèåíò Ãåíðè.

 íåðàâíîâåñíîì ñëó÷àå êîíöåíòðàöèÿ îêèñëèòåëÿ íà ïîâåðõíîñòè òâåðäîãî òåëà ìåíüøå, ÷åì C*.

Ïîòîê F1 îïðåäåëÿåòñÿ ðàçíîñòüþ ìåæäó ìàêñèìàëüíîé è ðåàëüíîé ïîâåðõíîñòíîé êîíöåíòðàöèé îêèñëèòåëÿ:

F1=h(C*-C0), ãäå

C0 - ïîâåðõíîñòíàÿ êîíöåíòðàöèÿ îêèñëèòåëÿ,

h - êîýôôèöèåíò ïåðåíîñà.

Çíà÷åíèå êîíöåíòðàöèè îêèñëèòåëÿ C0 çàâèñèò îò òåìïåðàòóðû, ñêîðîñòè ãàçîâîãî ïîòîêà è ðàñòâîðèìîñòè îêèñëèòåëÿ â SiO2 .

Äëÿ òîãî ÷òîáû îïðåäåëèòü ñêîðîñòü ðîñòà îêèñëà, ðàññìîòðèì ïîòîêè îêèñëèòåëÿ â îáúåìå îêèñëà (F Электронные и микроэлектронные приборы - реферат2) è íà åãî ãðàíèöå ñ êðåìíèåì (F3).

Ñîãëàñíî çàêîíó Ôèêà, ïîòîê ÷åðåç îáúåì îêèñëà îïðåäåëÿåòñÿ ãðàäèåíòîì êîíöåíòðàöèè îêèñëèòåëÿ:

F2=-D(dC/dz)=D(C0-Ci)/z0, ( 1 )

ãäå Ci - êîíöåíòðàöèÿ îêèñëèòåëÿ â ìîëåêóëàõ íà êóáè÷åñêèé ñàíòèìåòð ïðè z = z0,

D - êîýôôèöèåíò äèôôóçèè ïðè äàííîé òåìïåðàòóðå,

z0 - òîëùèíà îêèñëà.

Âåëè÷èíà ïîòîêà (F3) íà ãðàíèöå îêèñëà ñ ïîëóïðîâîäíèêîì çàâèñèò îò ïîñòîÿííîé K ñêîðîñòè ïîâåðõíîñòíîé ðåàêöèè è îïðåäåëÿåòñÿ êàê:

F3=kCi ( 2 )

Ïðè ñòàöèîíàðíûõ óñëîâèÿõ ýòè ïîòîêè ðàâíû, òàê ÷òî F3 = F2 = F1 = F. Ñëåäîâàòåëüíî, ïðèðàâíÿâ ñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератîîòíîøåíèÿ ( 1 ) è ( 2 ), ìîæíî âûðàçèòü

âåëè÷èíû Ci è C0 ÷åðåç C*:

(3)

Для того чтоб найти скорость роста окисла, представим уравнение потока на границе SiO2 - Si в последующей форме:

(4)

Ñêîðîñòü ðîñòà îêèñëà îïðåäåëÿåòñÿ ïîòîêîì (F3) è êîëè÷åñòâîì ìîëåêóë îêèñëèòåëÿ (Ni), íåîáõîäèìûì äëÿ îáðàçîâàíèÿ îêèñëà â åäèíè÷íîì îáúåìå. Ïîñêîëüêó êîíöåíòðàöèÿ ìîëåêóë SiO2 â îêèñëå ðàâíà 2,2*1022 ñì-3, òî äëÿ ïîëó÷åíèÿ äâóîêèñè êðåìíèÿ òðåáóåòñÿ êîíöåíòðàöèÿ ìîëåêóë êèñëîðîäà ðàâíàÿ 2,2*1022 ñì-3 èëè êîíöåíòðàöèÿ ìîëåêóë âîäû 4,4*1022 ñì-3 .

Ñîîòíîøåíèå ìåæäó âåëè÷èíàìè z0 è t îïðåäåëÿåòñÿ èíòåãðàëîì

Ñëåäîâàòåëüíî, äëÿ ìàëûõ âðåìåí îêèñëåíèÿ òîëùèíà îêèñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератëà îïðåäåëÿåòñÿ ïîñòîÿííîé ñêîðîñòè ïîâåðõíîñòíîé ðåàêöèè K è ïðÿìîïðîïîðöèîíàëüíà âðåìåíè îêèñëåíèÿ (8). Äëÿ áîëüøèõ âðåìåí îêèñëåíèÿ ñêîðîñòü ðîñòà çàâèñèò îò ïîñòîÿííîé äèôôóçèè D (9), à òîëùèíà îêèñëà ïðîïîðöèîíàëüíà êîðíþ êâàäðàòíîìó èç âðåìåíè ïðîöåññà. Îòìåòèì, ÷òî íàèáîëåå ÷àñòî èñïîëüçóåòñÿ òîëùèíà îêèñëà, ñîñòàâëÿþùàÿ äåñÿòûå äîëè ìèêðîíà, à âåðõíèé ïðåäåë ïî òîëùèíå äëÿ îáû÷íîãî òåðìè÷åñêîãî îêèñëåíèÿ ñîñòàâëÿåò 1 - 2 ìêì. Çíà÷èòåëüíûì äîñòèæåíèåì ïîñëåäíåãî âðåìåíè ÿâèëîñü äîáàâëåíèå â îêèñëèòåëüíóþ ñðåäó â ïðîöåññå îêèñëåíèÿ õëîðñîäåðæàùèõ êîìïîíåíòîâ. Ýòî ïðèâåëî ê óëó÷øåíèþ ñòàáèëüíîñòè ïîðîãîâîãî íàïðÿæåíèÿ ïîëåâûõ ÌÄÏ - òðàíçèñòîðîâ, óâåëè÷åíèþ íàïðÿæåíèÿ ïðîáîÿ äèýëåêòðèêîâ è ïîâûøåíèþ ñêîðîñòè îêèñëåíèÿ êðåìíèÿ. Ãëàâíàÿ ðîëü õëîðà â ïëåíêàõ äâóîêèñè êðåìíèÿ (îáû÷íî ñ êîíöåíòðàöèåé õëîðà 1016 - 1020 ñì-3) çàêëþ÷àåòñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератÿ â ïðåâðàùåíèè ñëó÷àéíî ïðîíèêøèõ â SiO2 ïðèìåñíûõ èîíîâ, íàïðèìåð, íàòðèÿ èëè êàëèÿ â ýëåêòðè÷åñêè íåàêòèâíûå.

Плазмохимическое окисление кремния

Процессы плазменного окисления металлов и полупроводников заключается в формировании на их поверхности оксидных слоев при помещении в кислородную плазму образцов. Эталоны могут быть изолированными (плазменное оксидирование) либо находиться под положительным относительно плазмы потенциалом (плазменное анодирование).

На рисунке изображена принципная схема установки для Электронные и микроэлектронные приборы - реферат воплощения процесса плазменного анодирования. Кислородная плазма возбуждается в объеме 1 генератора плазмы.

Существует некоторое количество видов плазмы, отличающиеся методом возбуждения.

Тлеющий разряд на неизменном токе.

При всем этом в объеме 1 создается пониженное давление кислорода (обычно 0.1--1 Торр) и меж электродами 2 и 3 прикладывается неизменное напряжение разряда Ud величиной внесколько Электронные и микроэлектронные приборы - реферат сотен вольт.

Дуговой разряд низкого давления.

Катод 3 греется за счет пропускания через него тока накаливания. Вследствие чеготермоэмиссии электронов с поверхности катода облегчается ионизация газоразрядного промежутка, что приводит к понижению напряжения Ud до величины наименее 100 В

ВЧ разряд (радиочастотный разряд).

Плазма возбуждается за счет поглощения ВЧ мощности генератора, связанного с объемом Электронные и микроэлектронные приборы - реферат 1 или индуктивно, или емкостным методом ( ВЧ напряжение подается на пластинки 2 и 3 ).

ÑÂ× ðàçðÿä (ìèêðîâîëíîâûé ðàçðÿä).

Ïëàçìà âîçáóæäàåòñÿ ïðè ïîãëîùåíèè ÑÂ× ìîùíîñòè ãåíåðàòîðà, ñîãëàñîâàííîãî ñ îáúåìîì 1 ñ ïîìîùüþ âîëíîâîäà.

Àíîäèðóåìûé îáðàçåö 4 íàõîäèòñÿ ïîä ïîëîæèòåëüíûì îòíîñèòåëüíî ïëàçìû ïîòåíöèàëîì fà (ïîòåíöèàëîì ôîðìîâêè), êîòîðûé ïîäàåòñÿ íà îáðàçåö ÷åðåç ñïåöèàëüíûé êîíòàêò. Ïðè ýòîì âåëè÷èíà fà ìîæåò áûòü îòðèöàòåëüíîé îòíîñèòåëüíî çåìëè, ïîñêîëüêó ðàâíîâåñíûé ïîòåíöèàë ïëàçìû îòðèöàòåëåí. Âíåøíÿÿ ïîâåðõíîñòü îêñèäà â ðåçóëüòàòå âçàèìîäåéñòâèÿ ñ ïëàçìîé ïðèîáðåòàåò "ñòåíî÷íûé" ïîòåíöèàë fb,

êàê ïðàâèëî, îòðèöàòåëüíûé îòíîñèòåëüíî ïîòåíöèàëà íåâîçìóùåííîé ïëàçìû f Электронные и микроэлектронные приборы - рефератï . Åñëè îáðàçåö èçîëèðîâàí îò âíåøíåé ýëåêòðè÷åñêîé öåïè (ïëàçìåííîå îêñèäèðîâàíèå), òî åãî ïîâåðõíîñòü ïðèîáðåòàåò "ïëàâàþùèé" ïîòåíöèàë ff . Íàëè÷èå àíîäíîãî ïîòåíöèàëà fà íà îáðàçöå âûçûâàåò ïðîòåêàíèå ÷åðåç íåãî àíîäíîãî òîêà Ia (èëè òîêà ôîðìîâêè), êîòîðûé ñîñòîèò èç èîííîé ñîñòàâëÿþùåé Ii, âûçûâàþùåé ðîñò îêñèäà, è ýëåêòðîííîé ñîñòàâëÿþùåé Ie. ×åì áîëüøå äîëÿ èîííîãî òîêà, òåì ýôôåêòèâíåå ïðîòåêàåò ðîñò ïëàçìåííûõ îêñèäîâ.

Ñâîéñòâà ïëàçìåííûõ îêèñëîâ êðåìíèÿ.

Êðåìíèé ÿâëÿåòñÿ íàèáîëåå õîðîøî èññëåäîâàííûì ìàòåðèàëîì ýëåêòðîííîé òåõíèêè. Îñíîâíûì ïðîöåññîì ïàññèâàöèè ïîâåðõíîñòè êðåìíèåâûõ ïëàñòèí ñëóæèò òåðìè÷åñêîå îêèñëåíèå. Îäíàêî ïî ìåðå ïåðåõîäà ê èçãîòîâëåíèþ ñâåðõáîëüøèõ è ñâåðõáûñòðîäåéñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератòâóþùèõ èíòåãðàëüíûõ ñõåì (ÑÑÁÈÑ ) âîçíèêàåò íåîáõîäèìîñòü â ñíèæåíèè òåìïåðàòóðû îêèñëèòåëüíûõ îáðàáîòîê ñ 1400 äî 900...1100 Ê, ïðè êîòîðûõ îòñóòñòâóåò íåêîíòðîëèðóåìàÿ òåðìîäèôôóçèÿ ïðèìåñåé è äðóãèå ïîáî÷íûå ýôôåêòû, ñòèìóëèðóåìûå âûñîêîé òåìïåðàòóðîé.  ñâÿçè ñ ýòèì âíèìàíèå èññëåäîâàòåëåé íà÷èíàþò ïðèâëåêàòü ïðîöåññû ïëàçìåííîãî àíîäèðîâàíèÿ è îêèñëåíèÿ êðåìíèÿ.  ðàáîòàõ ÿïîíñêèõ, àìåðèêàíñêèõ, ôðàíöóçñêèõ è äðóãèõ èññëåäîâàòåëåé ïîëó÷åíû ïëåíêè ïëàçìåííîãî äèîêñèäà êðåìíèÿ, ïî ñâîèì ïàðàìåòðàì íå óñòóïàþùèå ëó÷øèì òåðìè÷åñêèì îáðàçöàì, à ïî ýëåêòðè÷åñêîé ïðî÷íîñòè è ïðåâîñõîäÿùèå èõ.

Ïëàçìåííûå îêñèäû êðåìíèÿ íåçàâèñèìî îò ñïîñîáà ïîëó÷åíèÿ ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé ñòåõèîìåòðè÷åñêèé äèîêñèä êðåìíèÿ SiO2 . Èõ ñòðóêòóðà ÿâëÿåòñÿ àìîðôíîé, à ñâîéñòâà ïðèáëèæàþòñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератÿ ê ïàðàìåòðàì ïëåíîê SiO2 , ïîëó÷åííûõ ìåòîäîì òåðìè÷åñêîãî îêèñëåíèÿ êðåìíèÿ. Ïëàçìåííûå îêñèäû, áóäó÷è ñôîðìèðîâàííûìè ïðè ñóùåñòâåííî áîëåå íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ, íå îáëàäàþò äåôåêòàìè óïàêîâêè, íå ñîçäàþò ìåõàíè÷åñêèõ íàïðÿæåíèé íà ãðàíèöàõ ðàçäåëà îêñèä - ïîäëîæêà è â ðÿäå ñëó÷àåâ èìåþò áîëåå ñîâåðøåííóþ ñòðóêòóðó ãðàíèöû. Òåðìè÷åñêèå ïëåíêè SiO2 , ñôîðìèðîâàííûå ïðè áîëüøèõ ñêîðîñòÿõ îêèñëåíèÿ, ñîäåðæàò êëàñòåðû êðåìíèÿ ðàçìåðîì 2...3 íì.  òî æå âðåìÿ ïëàçìåííûå îêñèäû, ñôîðìèðîâàííûå äàæå ïðè áîëåå âûñîêèõ ñêîðîñòÿõ, íå èìåþò ïîäîáííûõ äåôåêòîâ íà ãðàíèöå ðàçäåëà Si - SiO2 , â íèõ íå íàáëþäàåòñÿ òàêæå ýôôåêò ïåðåðàñïðåäåëåíèÿ ïðèìåñè ïðè îêèñëåíèè.

Âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè îêñèäîâ òóííåëüíûõ òîëùèí õàðàêòåðèçóþòñÿ ìåõàíèçìîì ïðîâîäèìîñòè, ñîîòâåòñòâóþùèì ýìèññ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератèè Ôàóëåðà-Íîðäãåéìà ïðè íàïðÿæåííîñòè ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ â îêñèäå ñâûøå 6.5 ÌÂ/ñì. Èçìåðåíèÿ ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ ñâîéñòâ îêñèäà, ïîëó÷åííîãî ïëàçìåííûì îêñèäèðîâàíèåì êðåìíèÿ ïðè îäíîâðåìåííîé ïîäñâåòêå ïîâåðõíîñòè ëàçåðîì ñ äëèííîé âîëíû, ñîîòâåòñòâóþùåé âîçáóæäåíèþ ñâÿçè Si-Si ïîêàçàëè, ÷òî îêñèä îáëàäàåò íà äâà ïîðÿäêà ìåíüøåé ïëîòíîñòüþ ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé, ÷åì òðàäèöèîííûå àíîäíûå îêñèäû, è îîòâåòñòâóåò ëó÷øèì òåðìè÷åñêèì ïëåíêàì äèîêñèäà êðåìíèÿ.

Пиролитическое осаждение кремния из газовой фазы

 òåõíîëîãèè èíòåãðàëüíûõ ñõåì ïðèìåíÿþòñÿ ìåòàëëè÷åñêèå è äèýëåêòðè÷åñêèå ïëåíêè, èçãîòàâëèâàåìûå ðàçëè÷íûìè ìåòîäàìè. Îäíàêî, â ñâÿçè ñ Электронные и микроэлектронные приборы - реферат äàëüíåéøåé ìèíèàòþðèçàöèåé ÑÁÈÑ è èñïîëüçîâàíèåì ðàçëè÷íûõ ïîëóïðîâîäíèêîâ â êà÷åñòâå ïîäëîæåê íåîáõîäèìî ðàçðàáîòàòü íîâûå ìåòîäû èçãîòîâëåíèÿ ïëåíîê ñ åùå ìåíüøåé òîëùèíîé, ïëîòíîñòüþ äåôåêòîâ è áîëüøåé îäíîðîäíîñòüþ. Òðåáóåòñÿ òàêæå ìàêñèìàëüíî óâåëè÷èòü ÷èñëî ïëàñòèí, êîòîðûå ìîãóò áûòü îáðàáîòàíû â åäèíèöó âðåìåíè (äëÿ ñíèæåíèÿ ñòîèìîñòè ïðîäóêöèè), ó÷åñòü âîçìîæíûå îòðèöàòåëüíûå ïîñëåäñòâèÿ õèìè÷åñêèõ ðåàêöèé ìåæäó ïëåíêîé è ïîäëîæêîé, ðàçîãðåâ ïëåíêè â ïðîöåññå ôîðìèðîâàíèÿ, à òàêæå âîçìîæíîñòü ïîâðåæäåíèé ïðè îáëó÷åíèè.

Ðàññìîòðèì ïèðîëèòè÷åñêèé ìåòîä ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíîê (ìåòîä õèìè÷åñêîãî îñàæäåíèÿ èç ãàçîâîé ôàçû). Ìåòîä õèìè÷åñêîãî îñàæäåíèÿ èç ãàçîâîé ôàçû îñíîâàí íà èñïîëüçîâàíèè ÿâëåíèÿ ïèðîëèçà èëè õèìè÷åñêèõ ðåàêöèé ïðè ôîðìèðîâàíèè

ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ èëè ïëåíîê ðàç Электронные и микроэлектронные приборы - рефератëè÷íûõ èçîëèðóþùèõ ìàòåðèàëîâ.

Íà ðèñ. 1 â ðàçðåçå ïîêàçàíà óñòàíîâêà ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíîê ìåòîäîì õèìè÷åñêîãî îñàæäåíèÿ èç ãàçîâîé ôàçû ïðè íîðìàëüíîì äàâëåíèè. Íà íàãðåòîì ïüåäåñòàëå (ïîäñòàâêå) ãîðèçîíòàëüíî ðàñïîëàãàþòñÿ ïëàñòèíû. Ñâåðõó ïîñòóïàåò ãàç, â àòìîñôåðå êîòîðîãî ïðîòåêàþò õèìè÷åñêèå ðåàêöèè. Ôîðìèðîâàíèå ïëåíêè ïðîèñõîäèò ïðè èñïîëüçîâàíèè õèìè÷åñêèõ ðåàêöèé íà ïîâåðõíîñòè ïëàñòèíû. Äëÿ îáåñïå÷åíèÿ ðàâíîìåðíîñòè òîëùèíû ïëåíêè, ãàç ðàâíîìåðíî ïîäâîäèòñÿ ê ïîâåðõíîñòè ïëàñòèí.

Òåìïåðàòóðà ïî âñåé ïîâåðõíîñòè ïëàñòèí äîëæíà ïîääåðæèâàòüñÿ îäèíàêîâîé. Ïîýòîìó óñòàíîâêè íåîáõîäèìî ñíàáæàòü óñòðîéñòâàìè äëÿ âðàùåíèÿ ïîäñòàâêè, à òàêæå èñïîëüçîâàòü ñèñòåìû ïîäà÷è ãàçà â ñîîòâåòñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератòâèè ñ âûáðàííîé ôîðìîé ïüåäåñòàëà.

 êà÷åñòâå õèìè÷åñêè àêòèâíîãî ãàçà èñïîëüçóþò ìîíîñèëàí è êèñëîðîä, à â êà÷åñòâå áóôåðíîãî ãàçà - àçîò (îáû÷íî ïüåäåñòàë è ïëàñòèíû ñîïðèêàñàþòñÿ è ðàçîãðåâàþòñÿ). Âíóòðè ïüåäåñòàëà èìååòñÿ ïîëîñòü, ïðåäíàçíà÷åííàÿ äëÿ ïðåäîòâðàùåíèÿ ðàññåÿíèÿ òåïëà âî âíåøíåå ïðîñòðàíñòâî è îáåñïå÷åíèÿ ðàâíîìåðíîñòè òåìïåðàòóðû íà ïüåäåñòàëå, ÷òî ïðèâîäèò ê óëó÷øåíèþ ðàâíîìåðíîñòè ïî òîëùèíå ïëåíêè. Îäíàêî, ïîñêîëüêó ïëàñòèíû íå ïëîòíî ïðèëåãàþò ê ïüåäåñòàëó, òåìïåðàòóðà èõ ïîâåðõíîñòè íåîäèíàêîâà è âîñïðîèçâîäèìîñòü ðåçóëüòàòîâ óõóäøàåòñÿ. Êðîìå òîãî, ïî ìåðå óâåëè÷åíèÿ äèàìåòðà ïëàñòèí èõ ÷èñëî â ñîñòàâå îäíîé ïàðòèè óìåíüøàåòñÿ, ÷òî ïðåïÿòñòâóåò îðãàíèçàöèè èõ ìàññîâîãî ïðîèçâîäñòâà è ÿâëÿåòñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератÿ ñóùåñòâåííûì íåäîñòàòêîì äàííîãî ìåòîäà.

Ìåòîä ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíîê ïðè íîðìàëüíîì äàâëåíèè îáëàäàåò è ðÿäîì äîñòîèíñòâ, ê ÷èñëó êîòîðûõ îòíîñèòñÿ áîëüøàÿ, ÷åì äëÿ äðóãèõ ìåòîäîâ, ñêîðîñòü ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíîê, îòðàáîòêà êîíñòðóêòèâíîé ÷àñòè óñòàíîâêè. Äàííûé ìåòîä ìîæåò áûòü èñïîëüçîâàí äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíîê ïðè ðàçëè÷íûõ óñëîâèÿõ. Óñòàíîâêè ñðàâíèòåëüíî êîìïàêòíû è îòëè÷àþòñÿ íèçêîé ñòîèìîñòüþ. Âñå ýòî äàåò îñíîâàíèå íàäåÿòüñÿ, ÷òî îïèñàííûé ìåòîä áóäåò ïðèìåíÿòñÿ è â äàëüíåéøåì ïðè âíåñåíèè íåêîòîðûõ óñîâåðøåíñòâîâàíèé.

Êîíñòðóêöèÿ óñòàíîâêè ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíîê ìåòîäîì õèìè÷åñêîãî îñàæäåíèÿ èç ãàçîâîé ôàçû ïðè íèçêîì äàâëåíèè ïîêàçàíà íà ðèñ. 2.  ïîñëåäíåå âðåìÿ ãëàâíàÿ ðîëü îòâîäèòñÿ ìåòîäó ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíîê ïðè íèçêîì äàâëåíèè. Ïå÷ü, â êîòîðîé ïðîòåêàþò õèìè÷åñêèå ðåàêöèè, àíàëîãè÷íà äèôôóçèîííîé ïå÷è. Ïëàñòèíû â ïå÷è ðàñïîëàãàþòñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератÿ âåðòèêàëüíî, ðàññòîÿíèå ìåæäó íèìè â ãîðèçîíòàëüíîì íàïðàâëåíèè ìîæåò áûòü âûáðàíî ðàâíûì íåñêîëüêèì ìèëëèìåòðàì. Ðåçóëüòàòû íå çàâèñÿò îò äèàìåòðà ïëàñòèí.

 îäíîé îáðàáàòûâàåìîé ïàðòèè ìîæåò áûòü 200 ïëàñòèí. Äëèíà ñâîáîäíîãî ïðîáåãà ïðè íèçêîì äàâëåíèè (îáû÷íî 65,5 - 13,3 Ïà) äëÿ ìîëåêóë õèìè÷åñêè àêòèâíûõ ãàçîâ â 1000 - 1500 ðàç áîëüøå, ÷åì ïðè íîðìàëüíîì (105 Ïà). Âñëåäñòâèå âûñîêîé ñêîðîñòè äèôôóçèè õèìè÷åñêè àêòèâíûõ ãàçîâ ðàñïðåäåëåíèå êîíöåíòðàöèè ãàçîâ â ïå÷è ðàâíîìåðíî. Êðîìå òîãî, ïðè òàêîì ñïîñîáå ðàçîãðåâà ïëàñòèí, êàê ïîêàçàíî íà ðèñ. 2, òåìïåðàòóðà íà ïîâåðõíîñòè êàæäîé ïëàñòèíû è ìåæäó ïëàñòèíàìè ðàñïðåäåëÿåòñÿ ðàâíîìåðíî, à âîñïðîèçâîäèìîñòü ðåçóëüòàòîâ îáðàáîòêè âåñüìà âûñîêàÿ.

Ñî÷åòàíèå ýòîãî ôàêòîðà ñ ðàâíîìåðíîñòüþ ðàñïðåäåëåíèÿ êîíöåíòðàöèè õèìè÷åñêè àêòèâíûõ ãàçîâ ïðèâîäèò ê òîìó, ÷òî è ïðè óâåëè÷åíèè ÷èñëà ïëàñòèí â ïàðòèè ðàâíîìåðíîñòü òîëùèíû ïëåíêè ñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератóùåñòâåííî ïîâûøàåòñÿ ïî ñðàâíåíèþ ñ èñïîëüçîâàíèåì ìåòîäà õèìè÷åñêîãî îñàæäåíèÿ èç ãàçîâîé ôàçû ïðè íîðìàëüíîì äàâëåíèè. Áîëüøîå äîñòîèíñòâî äàííîãî ìåòîäà ñîñòîèò òàêæå â òîì, ÷òî ïðè íàëè÷èè íà ïëàñòèíå ñòóïåíåê, ìîëåêóëû õèìè÷åñêè àêòèâíûõ ãàçîâ îáòåêàþò ýòè íåðîâíîñòè è ïëåíêà ïîâòîðÿåò ôîðìó ïëàñòèíû.

Ìåòîä õèìè÷åñêîãî îñàæäåíèÿ èç ãàçîâîé ôàçû ïðè íèçêîì äàâëåíèè øèðîêî ïðèìåíÿåòñÿ ïðåèìóùåñòâåííî äëÿ ïîëó÷åíèÿ ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ è íèòðèäîâ êðåìíèÿ. Ïðè ïîïûòêàõ èñïîëüçîâàíèÿ ýòîãî ìåòîäà äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ äðóãèõ ïëåíîê âîçíèêàåò ðÿä ïðîáëåì. Òàê, â ñëó÷àå ôîðìèðîâàíèÿ çàùèòíûõ ïëåíîê ôîñôîðñèëèêàòíîãî ñòåêëà (ïðèìåíÿþùèõñÿ äëÿ çàùèòû ïîâåðõíîñòè ÈÑ) ïðèõîäèòñÿ ñ÷èòàòüñÿ ñ ç Электронные и микроэлектронные приборы - рефератàâèñèìîñòüþ äèàìåòðà ïëàñòèí îò äèàìåòðà êàìåðû, â êîòîðîé ïðîèçâîäèòñÿ îáðàáîòêà. Ïðåäïðèíèìàëèñü ïîïûòêè îïòèìèçàöèè ýòîé çàâèñèìîñòè ñ öåëüþ äîñòèæåíèÿ íàèëó÷øåé ðàâíîìåðíîñòè òîëùèíû ïëåíîê, íî ïîêà íå óäàëîñü ïîëó÷èòü

óäîâëåòâîðèòåëüíûõ ðåçóëüòàòîâ äëÿ ïðàêòè÷åñêèõ ïðèìåíåíèé. Íàïðèìåð, äëÿ ïîëó÷åíèÿ ïëåíîê, ñîäåðæàùèõ ôîñôîð è ìûøüÿê, â êàìåðó íàðÿäó ñ ìîíîñèëàíîì íåîáõîäèìî ââîäèòü â ìàëûõ êîëè÷åñòâàõ òàêèå ãàçû, êàê ôîñôèí è àðñèí, ÷òî ïðèâîäèò ê ñóùåñòâåííîìó ñíèæåíèþ ñêîðîñòè ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíîê è óõóäøåíèþ ðàâíîìåðíîñòè ïëåíêè ïî òîëùèíå.

Êîãäà ê ðàâíîìåðíîñòè ðàñïðåäåëåíèÿ êîíöåíòðàöèè õèìè÷åñêè àêòèâíûõ ãàçîâ ïðåäúÿâëÿþòñÿ æåñòêèå òðåáîâàíèÿ, â êîíñòðóêöèè óñòàíîâêè, èçîáðàæåííîé íà ðèñ. 2, íåîáõîäèìî ñóùåñòâåííî óëó÷øèòü ãåîìåòðèþ êàìåðû, ñèñòåìû ðàñïîëîæåíèÿ ïëàñòèí, à òàêæå óñîâåðøåíñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератòâîâàòü ñèñòåìó ïîäà÷è ãàçà. Ïîñêîëüêó â ëþáîì èç âàðèàíòîâ ìåòîäà îñàæäåíèÿ èç ãàçîâîé ôàçû îñóùåñòâëÿåòñÿ ïèðîëèç õèìè÷åñêè àêòèâíûõ ãàçîâ, ôîðìèðîâàíèå ïëåíêè äîëæíî ïðîâîäèòñÿ ïðè äîâîëüíî âûñîêîé òåìïåðàòóðå ïî ñðàâíåíèþ ñ ìåòîäîì òåðìè÷åñêîãî íàïûëåíèÿ.  ÷àñòíîñòè , ïðè ôîðìèðîâàíèè ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ ïëàñòèíà äîëæíà áûòü ðàçîãðåòà äî 600 - 650 Ñ, à ïëåíîê íèòðèäà êðåìíèÿ äî 750 - 800 Ñ. Òàêèì îáðàçîì, åñëè íàãðåâ ïëàñòèí äî óêàçàííûõ òåìïåðàòóð ïî êàêèì-ëèáî ïðè÷èíàì íåæåëàòåëåí, òî âîçíèêàþò îïðåäåëåííûå òðóäíîñòè. Òàê, ìåòîäû îñàæäåíèÿ èç ãàçîâîé ôàçû íå ìîãóò áûòü èñïîëüçîâàíû äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ ïëåíêè Si3 N4 , îáëàäàþùåé ïðàêòè÷åñêè èäåàëüíûìè ñâîéñòâàìè äëÿ çàùèòû íòåãðàëüíûõ ñõåì, ïîñêîëüêó íå îáåñïå÷èâàþò ñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератòàáèëüíîñòü è õîðîøóþ âîñïðîèçâîäèìîñòü ïàðàìåòðîâ.

Îñîáåííîñòè ïîëó÷åíèÿ òîíêèõ ïëåíîê

Ïîä ïðîöåññîì îêèñëåíèÿ ïîëóïðîâîäíèêîâ ïîíèìàþò ïðîöåññ èõ âçàèìîäåéñòâèÿ ñ îêèñëÿþùèìè àãåíòàìè: êèñëîðîäîì, âîäîé, îçîíîì è ò.ä.

Ïðè îïðåäåëåííûõ óñëîâèÿõ ñêîðîñòü ïðîöåññà îêèñëåíèÿ ïî ìåðå ðîñòà êîíöåíòðàöèè îêèñëèòåëÿ óìåíüøàåòñÿ. Ýòî ÿâëåíèå ÷àñòî íàçûâàþò ïàññèâíîñòüþ è ñâÿçûâàþò ñ îáðàçîâàíèåì òîíêîé ïëåíêè îêèñëà, ïðåïÿòñòâóþùåé ïåðåíîñó îêèñëèòåëÿ èëè îêèñëÿåìîãî âåùåñòâà ê ðåàêöèîííîé ïîâåðõíîñòè ðàçäåëà.  1958 ã. Âàãíåð ââåë ïîíÿòèå îá àêòèâíîì è ïàññèâíîì îêèñëåíèè, èìåÿ â âèäó â ïåðâîì ñëó÷àå ïðîöåññû, íå ñâÿçàííûå ñ îáðàçîâàíèåì îêñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератèäíûõ ïëåíîê íà ïîâåðõíîñòè èñõîäíîãî ìàòåðèàëà. Ïàññèâíîå îêèñëåíèå îòñóòñòâóåò, êîãäà âûäåëÿþùèåñÿ ïðîäóêòû ðåàêöèè óäàëÿþòñÿ ñî ñêîðîñòÿìè, áîëüøèìè ñêîðîñòè èõ îáðàçîâàíèÿ.

 íàñòîÿùåå âðåìÿ ïðîöåññû àêòèâíîãî è ïàññèâíîãî îêèñëåíèÿ ïîëóïðîâîäíèêîâ øèðîêî èñïîëüçóþòñÿ â òåõíîëîãèè ïðîèçâîäñòâà ñîâðåìåííûõ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ ïðè ïðîâåäåíèè îïåðàöèé õèìè÷åñêîãî èëè ãàçîâîãî òðàâëåíèÿ, ýïèòàêñèè, òåðìè÷åñêîãî îêèñëåíèÿ è äèôôóçèè. Ïðè ýòîì îñíîâíîå âíèìàíèå òåõíîëîãîâ è ðàçðàáîò÷èêîâ ñîñðåäîòî÷åíî íà ïðîöåññàõ ïàññèâíîãî îêèñëåíèÿ, ÷òî îáúÿñíÿåòñÿ ïåðâîñòåïåííîé ðîëüþ ïëåíîê òåðìè÷åñêè âûðàùåííîé äâóîêèñè êðåìíèÿ â ïëàíàðíîé òåõíîëîãèè.

Ýêñïåðèìåíòàëüíûå çàêîíû ðîñòà îêñèäíûõ ïëåíîê Åñëè êèíåòèêà ïðîöåññ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератà àêòèâíîãî îêèñëåíèÿ õàðàêòåðèçóåòñÿ â ðàâíîâåñèè ëèíåéíûì çàêîíîì, òî â ñëó÷àå ïàññèâíîãî îêèñëåíèÿ ôèçè÷åñêàÿ êàðòèíà ïðîöåññà óñëîæíÿåòñÿ ïðîöåññîì ïåðåíîñà ðåàãåíòà ê ðåàêöèîííîé ïîâåðõíîñòè ðàçäåëà ñêâîçü ðàñòóùóþ ïëåíêó. Ïðè ýòîì êèíåòèêà

îêèñëåíèÿ ìîæåò áûòü àïïðîêñèìèðîâàíà ñëåäóþùèìè çàêîíàìè:

ëèíåéíûì Õ(ò)=Ê1*ò; (1)

ïàðàáîëè÷åñêèì Õ2(ò)=Ê2*ò; (2)

êóáè÷åñêèì Õ3(ò)=Ê3*ò; (3)

ëîãàðèôìè÷åñêèì Õ(ò)=Ê4*lg(Â*ò+1); (5)

îáðàòíî ëîãàðèôìè÷åñêèì K5/X(ò)=À-lg(ò) (6)

Ñóùåñòâîâàíèå êàæäîãî èç ýòèõ çàêîíîâ îïðåäåëÿåòñÿ óñëîâèÿìè ïðîâåäåíèÿ ïðîöåññà îêèñëåíèÿ è ñâîéñòâàìè èñõîäíîãî ìàòåðèàëà. Êîíñòàíòû Ê1-Ê5 çàâèñÿò îò òåìïåðàòóðû, äàâëåíèÿ ðåàãåíòà è ïðèðîäû îêèñëÿåìîãî ìàòåðèàëà.

×àñòî ýêñïåðèìåíòàëüíî íàáëþäàåìàÿ êèíåòè÷åñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератêàÿ çàâèñèìîñòü ïîä÷èíÿåòñÿ äâóì èëè íåñêîëüêèì ïðèâåäåííûì âûøå çàêîíàì. Òàê, íàïðèìåð, ïðè âûñîêîòåìïåðàòóðíîì òåðìè÷åñêîì îêèñëåíèè êðåìíèÿ â êèñëîðîäå êèíåòèêà ïðîöåññà íà íà÷àëüíîì ýòàïå ñëåäóåò ëèíåéíîé çàâèñèìîñòè, êîòîðàÿ çàòåì ïëàâíî ïåðåõîäèò â ïàðàáîëè÷åñêóþ.

Ïðè èçó÷åíèè ýêñïåðèìåíòàëüíûõ äàííûõ ïî êèíåòèêå ïðîöåññà òåðìè÷åñêîãî îêèñëåíèÿ ìåòàëëîâ è ïîëóïðîâîäíèêîâ â çàâèñèìîñòè îò òåìïåðàòóðû (ñì. òàáëèöó 1), ìîæíî îòìåòèòü ñëåäóþùåå:

ïðè íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ, à çíà÷èò, ïðè ìàëûõ ðåçóëüòèðóþùèõ òîëùèíàõ îêèñíûõ ïëåíîê ïðåîáëàäàþùåé ÿâëÿåòñÿ ëîãàðèôìè÷åñêàÿ èëè îáðàòíî ëîãàðèôìè÷åñêàÿ çàâèñèìîñòü;

ïðè ïðîìåæóòî÷íûõ òåìïåðàòóðàõ ê íèì äîáàâëÿåòñÿ êóáè÷åñêàÿ èëè ïàðàáîëè÷åñêàÿ çàêîíîìåðíîñòè;

ïðè âûñîêèõ - êèíåòèêà ïðîöåññà â ïîäàâëÿþùåì áîëüøèíñòâå ñëó÷àåâ ñëåäóåò ïàðàáîëè÷åñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератêîìó ëèíåéíîìó èëè ñìåøàííûì ëèíåéíî-ïàðàáîëè÷åñêîìó èëè ïàðàëèíåéíîìó çàêîíàì.

Çàâèñèìîñòü ýêñïåðèìåíòàëüíî íàáëþäàåìûõ êèíåòè÷åñêèõ çàêîíîìåðíîñòåé îò òåìïåðàòóðû ïðîöåññà.

Òàáëèöà 1.

Âïåðâûå ëîãàðèôìè÷åñêàÿ èëè ýêñïîíåíöèàëüíàÿ çàâèñèìîñòü êèíåòèêè ïðîöåññà îêèñëåíèÿ áûëà ýêñïåðèìåíòàëüíî ïîëó÷åíà Òàììàíîì, èññëåäîâàâøèì îêèñëåíèå ðàçëè÷íûõ ìåòàëëîâ íà âîçäóõå ïðè ñðàâíèòåëüíî íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ. Òàê êàê ìåòîäèêà Òàììàíà áûëà ïðèçíàíà íåâåðíîé, ýòîé çàâèñèìîñòè íå óäåëÿëè ïî÷òè íèêàêîãî âíèìàíèÿ, ïîêà Âåðíîí, Àêåðîéä è Ñòðàóä íå ïîäòâåðäèëè åå ïðèãîäíîñòü ê ïðîöåññó îêèñëåíèÿ öèíêà ïðè òåìïåðàòóðàõ íèæå 350 Ñ.  äàëüíåéøåì ëîãàðèôìè÷åñêèé çàêîí áûë ïðèìåíåí äëÿ öåëîãî ðÿäà ìåòàëëîâ, âêëþ÷àÿ ìàãíèé, öåðèé, æåëåçî, íèêåëü, öèðêîíèé, òàíòàë è òèòàí.

Ãîðàçäî ðåæå íàáëþäàëàñü ýêñïåðèìåíòàëüíî îáðàòíî ëîãàðèôìè÷åñêàÿ çàâèñèìîñòü. Ãàðò, íàïðèìåð, ñ åå ïîìîùüþ îïèñàë êèíåòèêó îêèñëåíèÿ àëþìèíèÿ â êèñëîðîäå ïðè 200 Ñ, à Ðîáåðòñ Электронные и микроэлектронные приборы - реферат - êèíåòèêó îêèñëåíèÿ æåëåçà ïðè òåìïåðàòóðàõ îò 0 äî 1200 Ñ. Íóæíî îòìåòèòü, ÷òî ïðè ìàëûõ òîëùèíàõ, à îíè â ðàññìàòðèâàåìûõ ñëó÷àÿõ íå ïðåâûøàëè ñîòåí àíãñòðåì, ýêñïåðèìåíòàëüíûå äàííûå îáÿçàòåëüíî îòëè÷àþòñÿ ðàçáðîñîì, òàê ÷òî òðóäíî îïðåäåëèòü, óêëàäûâàþòñÿ îíè ëó÷øå íà êðèâóþ ëîãàðèôìè÷åñêîé èëè êðèâóþ îáðàòíî ëîãàðèôìè÷åñêîé çàâèñèìîñòè.

Îçíàêîìëåíèå ñ ìåòàëëàìè, ïðîÿâëÿþùèìè ñèëüíóþ òåíäåíöèþ ê ëèíåéíîìó îêèñëåíèþ, ïîêàçûâàåò, ÷òî òàêèå ìåòàëëû îáû÷íî îáðàçóþò îêèñëû, óäåëüíûé îáúåì êîòîðûõ ïî îòíîøåíèþ ê óäåëüíîìó îáüåìó ìåòàëëà ëèáî ìåíüøå åäèíèöû, êàê ó êàëèÿ (0.45), áàðèÿ (0,67) è ìàãíèÿ (0.81), ëèáî â íåñêîëüêî ðàç ïðåâûøàåò åäèíèöó, êàê ó óðàíà (2.27), íèîáèÿ (2.68), òàíòàëà (2.50), ìîëèáäåíà (3.30) è âîëüôðàìà (3.35).  îòíîøåíèè ïåðâîé ãðóïïû ìîæíî ñäåëàòü âûâîä î òîì, ÷òî îêèñåë íå ñïîñîáåí îáðàçîâûâàòü êîãåðåíòíóþ ïëåíêó, áëàãîäàðÿ ÷åìó ïðîöåññ îêèñëåíèÿ ïðîõîäèò ïðè íåïðåðûâíîì îáíàæåíèè ïîâåðõíîñòè ìåòàëëà.  òî æå âðåìÿ ó ìåòàëëîâ ñ áîëüøîé âåëè÷èíîé îîòíîøåíèÿ óäåëüíûõ îáúåìîâ ëèíåéíîå èëè ïàðàëèíåéíîå îêèñëåíèå ìîæåò ñîïðîâîæäàòüñÿ îáðàçîâàíèåì ðàñòðåñêèâàþùåéñÿ èëè ïîðèñòîé ïëåíêè, âîçìîæíî, ïîñëå íà÷àëüíîé ñòàäèè îêèñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератëåíèÿ, íà ïðîòÿæåíèè êîòîðîé ïëåíêà îñòàåòñÿ êîãåðåíòíîé. Òàêèì îáðàçîì, õîòÿ íà ïóòè îáîáùåíèÿ ëþáîãî ïðàâèëà åñòü ñâîè îãðàíè÷åíèÿ, âñå æå âåëè÷èíà îáúåìíîãî ñîîòíîøåíèÿ îêèñåë-ïîëóïðîâîäíèê ñëóæèò îïðåäåëåííûì êðèòåðèåì çàùèòíîé ñïîñîáíîñòè îêèñëà.

Ïàðàáîëè÷åñêèé çàêîí îêèñëåíèÿ áûë îòêðûò Òàììàíîì è íå çàâèñèîìî îò íåãî Ïèëëèíãîì è Áåäóîðòîì. Ýêñïåðèìåíòàëüíî îí íàáëþäàåòñÿ â ïîäàâëÿþùåì áîëüøèíñòâå ñëó÷àåâ ïðè âûñîêîòåìïåðàòóðíîì îêèñëåíèè ìåòàëëîâ è ïîëóïðîâîäíèêîâ è ÿâëÿåòñÿ ñëåäñòâèåì îáúìíîé äèôôóçèè ðåàãåíòîâ ñêâîçü ðàñòóùóþ îêèñíóþ ïëåíêó. Èíîãäà âûÿñíÿåòñÿ, ÷òî ðåçóëüòàòû îïûòîâ ïî èññëåäîâàíèþ êèíåòèêè îêèñëåíèÿ ìåòàëëîâ ïðè ïðîìåæóòî÷íûõ òåìïåðàòóðàõ ìîæíî ñ óñïåõîì àïïðîêñèìèðîâàòü êóáè÷åñêèì óðàâíåíèåì. Òàê îáñòîèò äåëî ñ íèêåëåì ïðè 400 Ñ, òèòàíîì ïðè 350-600 Ñ è öèðêîíèåì ïðè 350-950 Ñ. Ìîæíî îòìåòèòü, ÷òî äàííàÿ àïïðîêñèìàöèÿ ñîîòâåòñòâóåò ëèøü îïðåäåëåííîìó èíòåðâàëó òåìïåðàòóð è ÿâëÿåòñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератÿ ïåðåõîäíîé ôîðìîé ìåæäó ëîãàðèôìè÷åñêîé è ïàðàáîëè÷åñêîé çàêîíîìåðíîñòÿìè.

Òåîðåòè÷åñêîå îáîñíîâàíèå ýêñïåðèìåíòàëüíî íàáëþäàåìûõ çàâèñèìîñòåé.

Äëÿ òåîðåòè÷åñêîãî îáîñíîâàíèÿ áûëî ðàçðàáîòàíî ìíîæåñòâî òåîðèé, îñíîâàííûõ íà îáúåìíîé äèôôóçèè çàðÿæåííûõ ÷àñòèö èëè íåéòðàëüíûõ ïàð, à òàêæå ýôôåêòàõ òóííåëèðîâàíèÿ ýëåêòðîíîâ, íóêëåàöèè, êèíåòèêå àäñîðáöèè, îáðàçîâàíèÿ ðîñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà, èçìåíåíèè ãðàíè÷íûõ êîíöåíòðàöèé äèôôóíäèðóþùèõ ÷àñòèö â çàâèñèìîñòè îò òîëùèíû ïëåíêè è ìíîãèõ äðóãèõ.

Ê ñîæàëåíèþ, íè îäèí èç óêàçàííûõ ìåõàíèçìîâ íå ñïîñîáåí ïîëíîñòüþ îáúÿñíèòü îáøèðíûé êëàññ èìåþùèõñÿ ê íàñòîÿùåìó âðåìåíè ýêñïåðèìåíòàëüíûõ äàííûõ. Òàêèì îáðàçîì, îñíîâíûì âîïðîñîì, âîçíèêàþùèì ïðè ðàññìîòðåíèè ïðîáëåìû òåîðåòè÷åñêîãî îáîñíîâàíèÿ ýêñïåðèìåíòàëüíûõ êèíåòè÷åñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератêèõ ìîäåëåé ïðîöåññà ïàññèâíîãî îêèñëåíèÿ, ÿâëÿåòñÿ âîïðîñ î òîì, äåéñòâèòåëüíî ëè êèíåòèêà ðîñòà îêèñëà îïðåäåëÿåòñÿ ñîâîêóïíîñòüþ öåëîãî ðÿäà ôèçè÷åñêèõ ïðîöåññîâ, êàæäûé èç êîòîðûõ ïðèìåíèì ëèøü ïðè âïîëíå îïðåäåëåííûõ óñëîâèÿõ, ëèáî ïîäàâëÿþùåå áîëüøèíñòâî ýêñïåðèìåíòàëüíûõ äàííûõ ìîæåò áûòü îòíåñåíî ê îãðàíè÷åííîìó ÷èñëó ïðåäåëüíûõ ñëó÷àåâ îäíîãî è òîãî æå ïðîöåññà èëè ÿâëåíèÿ.

Íå óãëóáëÿÿñü â ðàññìîòðåíèå ñàìèõ ìîäåëåé, óêàæåì ëèøü, ÷òî áîëüøèíñòâî èç ýòèõ äàííûõ âîçìîæíî îïèñàòü â ðàìêàõ åäèíîé ìîäåëè, îãðàíè÷åííîå ÷èñëî ïðåäåëüíûõ ñëó÷àåâ êîòîðîé îáúÿñíÿëî áû ïîÿâëåíèå âñåõ îòìå÷åííûõ âûøå êèíåòè÷åñêèõ çàêîíîìåðíîñòåé. Îäíîé èç òàêèõ ìîäåëåé ìîæíî ñ÷èòàòü ìîäåëü Ôðîìõîëäà, îñíîâàííóþ íà ðàññìîòðåíèè ïðîöåññîâ îäíîâðåìåííîé ìàêðîñêîïè÷åñêîé äèôôóçèè çàðÿæåííûõ ÷àñòèö (èîíîâ è ýëåêòðîíîâ) ñêâîçü ãîìîãåííóþ îêèñíóþ ïëåíêó â ïðèñ Электронные и микроэлектронные приборы - рефератóòñòâèè ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ, ñîçäàííîãî ýòèìè ÷àñòèöàìè (Fromhold A.T.-"J. Phys. Chem. Solids", 1963, v.24, p. 1081-1089).

Çàâèñèìîñòü ýêñïåðèìåíòàëüíî íàáëþäàåìûõ êèíåòè÷åñêèõ çàêîíîìåðíîñòåé îò òåìïåðàòóðû ïðîöåññà ïðèâåäåíà â òàáëèöå 1.

2. Полупроводниковые резисторы

Полупроводниковые резисторы – это резисторы, сделанные на базе полупроводникового материала способами полупроводниковой технологии. Различают большие и диффузионные полупроводниковые резисторы.

Большие резисторы получают методом сотворения омических (невыпрямляющих Электронные и микроэлектронные приборы - реферат) контактов металла с полупроводником. При безупречных контактах удельное сопротивление rn такового резистора определяется большими качествами полупроводника.

Так как на практике употребляют легированные полупроводники, их удельное сопротивление в случае полной ионизации примеси:

rh n =[qmh Nд + ]-1 ïðè Nд >> Na

rр n =[qmð Nа - ]-1 ïðè Nа >> Nä

Невзирая на простоту конструктивного и Электронные и микроэлектронные приборы - реферат технологического выполнения, большие резисторы не отыскали широкого внедрения из-за большой занимаемой площади и температурной непостоянности.

Диффузионные резисторы сформировывают на базе диффузионных слоев, толщина которых намного меньше их ширины и длинны. Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p-n -переходом. Они могут быть сделаны сразу с Электронные и микроэлектронные приборы - реферат другими элементами при формировании структуры полупроводниковых ИМС. Потому для реализации диффузионных резисторов в полупроводниковых ИМС употребляют те же диффузионные слои, которые образуют главные структурные области транзистора: базисную, эмиттерную, либо коллекторную.

Сопротивление диффузионного резистора R определяется удельным сопротивлением полупроводникового слоя, его глубиной и занимаемой площадью:

( 1 )

где rs -удельное поверхностное сопротивление слоя

Диффузионные Электронные и микроэлектронные приборы - реферат резисторы могут быть реализованы на базе хоть какой из структурных областей транзистора. Для их использования в ИМС на поверхности структурных областей делают омические контакты.

Структура диффузионного резистора на базе структурных областей планарно-эпитаксиального транзистора на рис. 2.


Более распространенны резисторы, сформированные на базе базисных слоев. При всем этом достигается Электронные и микроэлектронные приборы - реферат сочетание высочайшего сопротивления слоя нужного для уменьшения площади, занимаемой резистором и применимого температурного коэффициента.

Рис. 2

Для получения диффузионных резисторов

требуемого сопротивления, определяемого по формуле (1), диффузионные слои сформировывают в виде прямоугольника либо змейки. В данном случае отношение l/b стремятся сделать по способности огромным. Для диффузионных резисторов типично наличие паразитных частей - распределенного Электронные и микроэлектронные приборы - реферат конденсатора и распределенного транзистора.

Не считая диффузионных резисторов в полупроводниковых ИМС используют резисторы на базе МДП-структуры. При всем этом в качестве резистора употребляют МДП-транзистор, работающий в режимах, наклонной области ВАХ. Внедрение МДП-структур в качестве резисторов позволяет воплотить целый ряд цифровых ИМС лишь на одних МДП-транзисторах Электронные и микроэлектронные приборы - реферат.
3. Элемент КМОП - логики.

В цифровых ИМС практическое применение получили полевые транзисторы с оксидным диэлектриком, образующие контакт металл–оксид–полупроводник (КМОП). На рисунке 2 приведена принципная схема элемента Либо–НЕ на два входа, содержащая один нагрузочный (VT3) и два логических (VT1 и VT2) транзистора.

U и.п.

VT3

F (Выход)

VT Электронные и микроэлектронные приборы - реферат1

B (Вход 2)

А (Вход 1) VT2 А 1

В F=A+B

Рис. 3

Таблица 11

А

В

F

0

0

1

1

0

0

0

1

0

1

1

0

На рисунке 3 приведена схема логического элемента ИЛИ-НЕ. Она состоит из 2-ух логических VT1, VT2 и 1-го нагрузочного VT3 транзисторов. Механизм работы (таб.1) заключается в последующем:

При подаче на оба логических транзистора (входы А и В) логического Электронные и микроэлектронные приборы - реферат 0 они остаются закрытыми (IИС =0). Сопротивление перехода для Iи.п. велико, потому ток источника питания протекает через VT3 на выход схемы (контакт F) формируя уровень логической 1. При подаче хотя бы на один из входов логической 1 транзистор раскрывается, сопротивление перехода падает Iи.п. протекает на корпус тем на выходе схемы формируется уровень логического Электронные и микроэлектронные приборы - реферат 0.

Элементы КМОП-логики отыскали обширное применение в микросхемотехнике. На базе этих частей строятся дешифраторы, триггеры, счетчики, регистры, сумматоры, умножители, элементы ПЗУ и т. д и т.п.

4. Принцип деяния и устройство тетрода

Развитие техники радиоприема, связанное с необходимостью усиления напряжений высочайшей частоты, выявило один и з основ Электронные и микроэлектронные приборы - реферат­ных нед остатков триода. Было увидено, что усилители на трио­ дах, созданные для этой цели, работают нестабильно и не обеспечивают надежного усиления.

Исследования проявили, что предпосылкой этого является нали­чие значимой емкости меж электродами лампы. Вопрос этот очень важен, потому на нем стоит тормознуть подробнее.

М ежду хоть какими 2-мя проводниками Электронные и микроэлектронные приборы - реферат, не соприкасающимися вместе, суще ствует электронная емкость.

Две железные пластинки, разбитые промежутком, об­разуют конденсатор. Конденсатор, включенный в электронную цепь, делает неодолимое препятствие для неизменного тока, но для переменного тока представляет только некое сопротив ­ление. Чем больше емкость конденсатора и чем выше частота пе­ременного тока, тем Электронные и микроэлектронные приборы - реферат наименьшее сопротивление представляет кон­денсатор его прохождению. Как мы уже лицезрели, снутри лампы можно различить три такие емкости: меж сетью и катодом, меж сетью и анодом и меж анодом и катодом. Анализ ра­боты лампы указывает, что более вредоносна емкость меж анодом и сетью, обозначаемая обычно С AC .

Вредное действие Электронные и микроэлектронные приборы - реферат этой емкости можно осознать, посмотрев на наши картинки. Представим, что лампа должна усиливать на­пряжение не звуковой, а высочайшей частоты. На сетку лампы по­ступают слабенькие электронные колебания U вх . Усиленные колеба­ния этой же частоты, но с напряжением U вых выделяются на анодной нагрузке. Если меж ан одом Электронные и микроэлектронные приборы - реферат лампы и ее сетью есть емкость Оде , то через нее часть усиленного переменного напря жения будет передана из анодной цепи назад в сеточную. Это напряжение добавится к основному сигналу, действующему в .цепи сетки. Напряжение сигнала на входе вроде бы увеличивается, вследствие чего возрастает и напряжение, выделяющееся на анодной нагрузке Электронные и микроэлектронные приборы - реферат. Это в свою очередь приведет к передаче через емкость анод — сетка в сеточную цепь еще большего напряже­ния и т. д. В итоге работа лампы становится неуравновешенной, может появиться самовозбуждение и лампа из усилителя коле­баний перевоплотится в генератор, т. е. в самостоятельный источник

колебаний. Появление в усилителе Электронные и микроэлектронные приборы - реферат самовозбуждения про­является в виде сильных искажений и свиста.

Опасность неуравновешенной работы усилителя будет тем больше, чем выше частота переменного тока (тем наименьшее сопротивление представляет для него емкость) и чем больше усиление лампы. Это событие сделало очень суровые затруднения

при­ему и усилению слабеньких сигналов высочайшей частоты и принудило находить методы борьбы с Электронные и микроэлектронные приборы - реферат вредным воздействием емкости сетка — анод трехэлектродной лампы.

Физика знает методы уменьшения емкости меж 2-мя проводниками. Такими методами, к примеру, является уменьше­ние размеров проводников,. образующих конденсатор, и увеличе­ние расстояния меж ними. Эти методы применялись при кон­струировании триодов, но значимого эффекта они не дали, так как чрезвычайно уменьшать Электронные и микроэлектронные приборы - реферат электроды по ряду соображе­ний нельзя (к примеру, уменьшение размеров анода приводит к необходимости понизить анодный токи, как следует, все пара­метры лампы), а повышению расстояний меж электродами кладут предел размеры лампы и ряд других обстоятельств.

Более комфортным и легче всего осуществимым методом уменьшения емкости, оказалось экранирование.

Суть Электронные и микроэлектронные приборы - реферат этого метода можно объяснить 'последующим приме­ром. Пусть имеется цепь из конденсатора, источника переменного напряжения и измерительного прибора. В таковой цепи будет течь ток, величину которого отметит измерительный прибор.

Поместим сейчас меж пластинами конденсатора еще одну пластинку и присоединим ее к нашей схеме в точке б. Когда Электронные и микроэлектронные приборы - реферат это мы создадим, то заметим, что стрелка прибора установилась на нуле: тока в цепи прибора не стало.

Разъясняется это тем, что ток сейчас потечет по другому, бо­лее недлинному пути — через емкость меж левой и средней пластинами и дальше *по проводу а—б. Путь переменного тока

в обоих случаях показан Электронные и микроэлектронные приборы - реферат стрелками. В правой части схемы, где находится измерительный прибор, тока не будет, она окажется вроде бы замкнутой накоротко проводом а—б. Это равносильно уничтожению емкости меж пластинами конденсатора. 3-я пластинка явилась экраном, который свел емкость конденсатора к нулю. Принципиально то, что таковой экран не должен быть непременно сплошным. Его Электронные и микроэлектронные приборы - реферат можно выполнить, к примеру, в виде довольно густой сетки—экранирующее действие при всем этом не поменяется.

Схожий экран можно применить и в электрической лампе. Для этого довольно ввести в нее вторую сетку—спираль, по­местив ее меж анодом и основной сетью. Эту дополнительную сетку именуют экранной либо экранирующей, а основную— управляющей Электронные и микроэлектронные приборы - реферат, потому что ее напряжение управляет анодным током.

Введение экранирующей сетки приводит к резкому уменьше­нию емкости меж анодом и управляющей сетью, вследствие чего исключается опасность проникания усиленного напряжения из цепи анода назад в цепь сетки и становится вероятным по­лучение устойчивого усиления колебаний высочайшей частоты.

Лампы, имеющие Электронные и микроэлектронные приборы - реферат экранирующие сетки, именуются экраниро­ванными либо—по числу электродов—тетродами («тетра» по-гречески—четыре).

Экранирующая сетка должна быть конструктивно выполнена так, чтоб, понижая емкость меж управляющей сетью и анодом, она в то же время не создавала препятствий электро­нам в их движении к аноду. Это полностью осуществимо, потому что расстояние Электронные и микроэлектронные приборы - реферат меж витками экранирующей сетки, естественно, не может идти ни в какое сопоставление с размерами электрона.

Но действие экранирующей сетки не ограничивается умень­шением вредной, либо, как ее нередко именуют, паразитной емкости меж управляющей сетью и анодом. Экранирующая сетка сразу позволяет существенно сделать лучше характеристики лам­пы и сначала повысить Электронные и микроэлектронные приборы - реферат ее коэффициент усиления.

Разъясняется это тем, что на пути электронов к аноду появ­ляется еще одна преграда — дополнительная сетка, означает, дей­ствие анода на электроны миниатюризируется, а чем меньше действие анода на электрический поток по сопоставлению с действием управляю­щей сетки, тем больше коэффициент усиления.

На это будто Электронные и микроэлектронные приборы - реферат бы бы можно сделать возражение, что и у триода можно получить очень большой коэффициент усиления. Мы уже говори-

ли, что чем гуще управляющая сетка лампы, тем больше коэф­фициент усиления. Как следует, нужно делать сетку очень гус­той, и тогда коэффициент усиления будет очень огромным.

По сути это не так. В реальности Электронные и микроэлектронные приборы - реферат у триода поч­ти нереально сделать коэффициент усиления больше 100, и вот почему.

Коэффициент усиления m указывает, во сколько раз напря­жение на сетке действует на анодный ток посильнее, чем напряже­ние на аноде. Если m=10, то это означает, что изменение напря­жения на сетке на 1 в действует Электронные и микроэлектронные приборы - реферат так же, как изменение на аноде на 106. Подав на анод этой лампы напряжение, к примеру, 1506, мы сделаем в ее анодной цепи некий ток. Так как 1 в на сетке лампы действует также, как 10 в на аноде, то разумеется, что, подав на сетку—15 в, мы совсем прекратим анодный ток; отталкивающее по отношению к Электронные и микроэлектронные приборы - реферат электронам действие сеточ­ного напряжения уравновесит притягивающее действие анода.

Если б коэффициент усиления лампы был больше, напри­мер приравнивался 30, то анодный ток закончился бы при напряже­нии на сетке—5 в, а при m=100 для прекращения анодного то­ ка потребовалось бы подать на сетку всего—1,5 в.

Для работы усилительной лампы Электронные и микроэлектронные приборы - реферат употребляется, как мы ви­дели, участок свойства меж нижним перегибом и точ­кой, соответственной нулевому напряжению на сетке. В триоде с огромным (и этот участок будет совершенно мал: при m=100 он окажется в наилучшем случае немногим больше, чем 1 в. Означает, к сетке таковой лампы нельзя подводить переменные напряжения с Электронные и микроэлектронные приборы - реферат амплитудой больше чем 0,5 б, потому что в неприятном случае ко­лебания попадут в область сеточного тока и на перегиб характе­ристики, что приведет к искажениям. Это событие очень ограничивает способности исполь­зования триодов с огромным m.

Каталось бы, что их удобнее всего прим енить для усиления высочайшей частоты Электронные и микроэлектронные приборы - реферат, так как напряже­ние сигналов высочайшей частоты при радиоприеме всегда бывает сильно мало. Но здесь появляется препятствие в виде емкости анод— сетка, которая в особенности очень сказывается при усилении имен­ но больших частот, а при усилении низких частот, когда вредное действие емкости анод — сетка сказывается меньше, переменные на пряжения обычно Электронные и микроэлектронные приборы - реферат бывают достаточно з начительными.

Введение в лампу экранирующей сетки разрешает эту труд­ность.

Мы до сего времени гласили только о том, что экранирующая сетка находится меж управляющей сетью и анодом, но не касались вопроса о том, с чем все-таки соединена эта сетка. Для того чтоб она делала Электронные и микроэлектронные приборы - реферат только функции экрана, ее довольно было бы соединить с катодом, т. е. с нулевой точкой схемы, относи­тельно которой определяется напряжение всех других элек­тродов. Но при всем этом, как и у триода с огромным ц, можно использовать только очень малую часть свойства лампы, что нерентабельно.

Но можно присоединить Электронные и микроэлектронные приборы - реферат экранирующую сетку по другому—подать на нее положительное напряжение. Картина при всем этом резко изме­нится. Анод, отделенный от катода 2-мя сетками, сам по для себя будет оказывать слабенькое притягивающее действие на электроны. Но экранирующая сетка будет помогать ему в этом. При поло­жительном напряжении на экранирующей Электронные и микроэлектронные приборы - реферат сетке электроны полу­чат дополнительное ускорение и устремятся к экранирующей сетке. Напряжение на ней U э можно сделать меньше, чем на ано­де U а . Тогда электроны, приблизившись к экранирующей сетке и приобретя при всем этом достаточную скорость, испытают сильное при­тяжение анода и полетят к нему. Маленькое количество электро Электронные и микроэлектронные приборы - реферат­нов окажется при всем этом притянутым экранирующей сетью и об­разует в ее цепи некий ток. '

Таким макаром, экранирующая сетка содействует увеличе­нию анодного тока. Если воплощение в триодах огромного ко­эффициента усиления приводит к резкому уменьшению возмож­ного для использования участка свойства, то экранирую­щая сетка, содействуя, с одной стороны Электронные и микроэлектронные приборы - реферат, повышению коэффи­циента усиления, наращивает в то же время анодный ток и этим вроде бы сдвигает всю характеристику лампы на лево, позволяя использовать для усиления ее больший участок.

Благодаря этому тетроды могут иметь очень большой коэф­фициент усиления, доходящий до 500—600, т. е. во много раз больше, чем у триодов Электронные и микроэлектронные приборы - реферат. Потому от усилительного каскада с тет­родом можно получить существенно большее усиление, чем от каскада с триодом.

На экранирующую сетку обычно подается напряжение, при­мерно в два раза наименьшее анодного. Эта сетка играет вспомогательную роль, и ток в ее цепи не употребляется.

Тетроды такового типа в главном Электронные и микроэлектронные приборы - реферат применялись для усиления высочайшей частоты. Большой коэффициент усиления и малая вели­чина емкости управляющая сетка—анод позволяют очень эф­фективно использовать их для этой цели.

Экранированные лампы явились значимым шагом вперед по сопоставлению с трехэлектродными. У нас ранее выпускались тетроды СО-124. СБ-154 и др. Но практика использования тетродов выявила Электронные и микроэлектронные приборы - реферат большой недочет, препятствовавший расширению их внедрения.

Мы отмечали, что экранирующая сетка, находящаяся под довольно огромным положительным напряжением (обычно по­рядка 50—70 в), докладывает электронам, образующим анодный ток, дополнительную скорость. Электроны, парящие с очень большой скоростью, с таковой силой ударяются о поверхность ано­да, что выбивают из атомов металла анода другие электроны Электронные и микроэлектронные приборы - реферат. Один электрон, имеющий довольно огромную скорость, может вышибить из анода несколько электронов. Ударяю­щийся об анод электрон принято именовать первичным, а выби­тые им электроны — вторичными.

Каким же образом возникновение вторичных электронов может отозваться на работе лампы?

Выбитые из анода вторичные электроны имеют неодинаковые скорости. Электроны, получившие маленькую скорость, под Электронные и микроэлектронные приборы - реферат влия­нием притяжения положительно заряженного анода стремительно те­ряют ее и падают назад на анод. Такие электроны не удаля­ются на огромное расстояние от анода, и их возникновение не сказы­вается на работе лампы.

Но какая-то часть вторичных электронов получает в резуль­тате удара огромную скорость, дающую им Электронные и микроэлектронные приборы - реферат возможность доста­точно удалиться от анода и приблизиться к экранирующей сетке так, что ее притяжение превзойдет притяжение анода, В конечном итоге эти электроны будут притянуты экранирующей сетью.

В итоге в лампе образуются два тока: один — нормаль­ный анодный ток, образованный электронами, вылетевшими из катода, и 2-ой—образованный вторичными электронами Электронные и микроэлектронные приборы - реферат, вы­битыми из анода, и имеющий обратное направление. Этот ток оборотного направления время от времени именуют динатронным током, так как явле­ние выбивания из анода вторичных электронов из­вестно под заглавием динатронного эффекта.

Динатронный ток, как имеющий оборотное направ­ление по отношению к анод­ному току, вычитается из Электронные и микроэлектронные приборы - реферат него. Динатронный эффект приводит к уменьшению анодного тока лампы. Потому что каждый первичный электрон может при изве­стных критериях вышибить не­сколько вторичных,' то при неких соотношениях на­пряжений на аноде лампы и ее экранирующей и управляющей сетках динатронный ток может сравняться по величине с «пря­мым» анодным Электронные и микроэлектронные приборы - реферат током и даже превысить его. У лампы, работаю­щей в таком режиме, уменьшение отрицательного напряжения на управляющей сетке будет сопровождаться не повышением анодного тока, а его уменьшением (из-за появления дина-тронного эффекта). В итоге возникнут сильные преломления и может начаться самовозбуждение каскада, т. е. перевоплощение усилительного каскада Электронные и микроэлектронные приборы - реферат в генераторный.

Метод устранения противных последствий динатронного эффекта очевиден: нужно не допускать вторичные электроны при­нижаться к экранирующей сетке. Выполнить это можно введе­нием в лампу очередной—третьей по счету сетки.

3-я сетка размещается меж анодом и экранирующей сетью и соединяется с катодом. Так как отрицательный по­люс источника напряжения соединен с Электронные и микроэлектронные приборы - реферат катодом, то 3-я сетка оказывается заряженной негативно относительно анода. По­этому выбитые из анода вторичные электроны будут отталки­ваться этой сетью назад к аноду. В то же время, будучи до­статочно редчайшей, эта сетка не препятствует лететь к аноду электронам основного анодного тока.

Эта 3-я сетка защищает лампу Электронные и микроэлектронные приборы - реферат от появления дина-тронного эффекта и потому именуется защитной либо противодинатронной. Время от времени ее именуют пентодной сетью.


1 Логический 0 соответствует 0 вольт, логическая 1 соответствует Uи.п.


elektrolyuminiscentnaya-podsvetka.html
elektromagnitnaya-indukciya-magnitnij-potok-zakon-elektromagnitnoj-indukcii-pravilo-lenca.html
elektromagnitnaya-moshnost-i-vrashayushij-moment.html